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Flash型FPGA的本征态电流控制技术研究Flash型FPGA基于Sense-Switch结构的flash开关单元组成的可编程布线开关矩阵，通过选择不同的信号通路来实现用户的逻辑功能。由于flash属于非易失性存储，电路掉电后信息不丢失，因此flash型FPGA启动速度快，上电后电路能够快速的进入工作状态。从实现flash开关单元的器件类型来说，根据不同的flash型FPGA应用背景，有N沟道flash和P沟道flash可选。N沟道flash具有驱动能力大的优点，而P沟道flash在抗辐射性能上要优于N沟道，特别是在抗总剂量性能上表现优越。所以基于P沟道技术的flash型FPGA更适合应用于航天航空的信号处理和信号控制领域。然而，flash型FPGA芯片在制造过程中工艺会将少量电子带入到flash的浮栅中，内部残留的负电荷会使P沟道的flash处于本征弱导通状态，每个flash的源漏之间存在μA级的导通电流。在布线开关矩阵中，极性相反的两个信号作为信号选择器MUX的输入，所以会在两个flash开关单元之间形成导通电流。而flash型FPGA有几兆甚至数十兆数量的flash开关单元，如此大量flash开关单元之间导通电流的叠加，导致flash型FPGA芯片从晶圆厂返回后的第一次上电存在非常大的电流。以系统等效门数为350万门flash型FPGA计算，共含有2912(BL)*7844(WL)位的flash开关单元，芯片第一次上电的电流将达到10A以上。近日，中国电科58所及其子公司中微亿芯单悦尔研究员课题组对flash型FPGA中本征态电流产生的原因和机理进行了分析，对其控制方法进行了深入的理论研究。利用光电效应和康普顿效应进行紫外光照射、X光照射试验；基于Arrhenius指数加速模型进行高温烘焙试验；从电路上设计控制内核地GND通路的逻辑进行试验。试验数据表明在电路设计上通过逻辑控制内核地GND的通路是最合适、最可靠地解决flash型FPGA本征态电流问题的方法。具体方案是通过在flash型FPGA的芯片上增加对内核地GND的控制逻辑，断开芯片第一次上电过程中从内核电源VDD到地GND的电流通路。并且该控制逻辑具有记忆功能（利用多个处于本征态弱导通的flash并联实现），在完成对flash擦除后的再次上电，内核电源VDD到地GND能够形成正常通路，因此不会影响芯片的正常工作。具体操作是芯片顺利上电后，首先执行擦除操作，先将flash型FPGA中作为信号开关的flash擦除，清除其浮栅中的电子，使所有的flash开关处于关闭状态。再执行专项擦除指令对内核地GND通路控制逻辑中的flash进行擦除，关闭其对内核地GND通路的继续控制。Flash型FPGA本征态电流控制技术，是研制flash型FPGA芯片的关键核心技术之一，是flash型FPGA芯片制造回来后能否进行功能和性能测试评价的前提。该研究对促进国内flash型FPGA的发展起积极而重要的借鉴作用。该文章以题为“ResearchoneigenstatecurrentcontroltechnologyofFlash-basedFPGA”发表在JournalofSemiconductors上。图1.（a）Sense-Switch结构的flash开关单元。（b）开关矩阵中的本征态导通电流通路。图2.（a）设计的内核地GND的通路。（b）内核地GND通路的控制逻辑。文章信息：ResearchoneigenstatecurrentcontroltechnologyofFlash-basedFPGAYueerShan,ZhengzhouCao,GuozhuLiuJ.Semicond.2022,43(12):122401doi:10.1088/1674-4926/43/12/122401日媒公布日本民众票选年度汉字"高""苦"排前列海外网2022-12-1418:10:45日本东京（资料图）海外网12月14日电日媒《FLASH》12月14日根据读者投票，公布了日本民众心中的年度汉字，“高”“苦”“变”等字位列前三。民众认为，物价高涨、新冠疫情等导致生活痛苦，每个人的生活方式也变化很大，这些都是日本今年的特色。《FLASH》近期以日本1000名20岁以上的读者为对象，让其提出自己心中的年度汉字。据统计，名列榜首的汉字是“高”。大部分读者称，物价高涨是他们今年印象最深的事情。一些读者表示，“什么东西都提价，这难道不是变相增税？”“我今年嚷嚷了好几次物价高”“买不起吃的了”。排名第二的汉字是“苦”，读者提出的理由依然和日本今年物价高涨相关。大部分人称，他们受物价高涨影响很大，生活非常痛苦。还有很多人表示，新冠疫情导致生活不便、多家企业倒闭、待业在家、虐童案件层出不穷等，这些都令人感到“苦”。排名第三的汉字是“变”。部分读者认为，今年新冠疫情肆虐，确实是变化很大的一年。除了上述三个字，“乱”“安”等字也排名靠前。（海外网王珊宁）海外网版权作品，未经授权不得转载。责编：王珊宁、李冉据日媒《现代商务》和《FLASH》报道，以及部分知情人士在网上分析，导致山上彻也杀安倍的原因，大概率是来自韩国的“韩国统一教”日本分部，是此教骗光了山上彻也母亲的钱财，致使家庭崩坏，山上彻也说2021年安倍曾为此教站台，所以他动了杀心，我还看到别的信息源说涉案宗教是神道政治联盟，目前擅未百分百确定，但离源头越来越近。另据《读卖新闻》10日报道，山上彻本来想在7月7日安倍在冈山演讲时就发起刺杀，但当天会场警备严格未能得手，奈良因警备松懈得手。三星在中国投资百亿美元芯片工厂已生产美国让韩国封杀中国破产。1、4月2日消息，据韩国媒体《韩国商业》报道，近日，三星电子位于中国西安的第二座NANDFlash闪存工厂已完成扩建，并开始全面生产。这实际上也意味着美国倡导的“芯片四方联盟”刚提出半个月，即已实际破灭。2、首先，根据3月下旬韩国经济媒体《首尔经济》的报道称，美国近日向韩国及主要半导体企业提议组成“芯片四方联盟”（Chip4），也向日本及中国台湾发出了邀请，这个联盟如果真的组建并真的发挥作用不给中国提供芯片，那对中国影响巨大，因为中国大陆仅2021年就贡献了全球半导体市场一半以上的销售额，达到2991亿美元，中国大陆是全球最大的电子产品制造地，但没有芯片没法生存。3、其次，美国老是做这种损人利已的梦想，问题是只有美国受益，别的国家却跟着倒霉。据悉，韩国就根本无法接受美国的建议。报道称，三星西安NANDFlash闪存第二工厂自3月初以来一直在满负荷运转，每月可生产13万片12英寸的晶圆，比第一工厂每月12万片要高出1万片。这也使得三星在西安生产的NANDFlash闪存的产量达到了25万片/月，在目前三星全球NANDFlash总产量当中的占比达到了40%以上，同时在全球NANDFlash总产能当中的占比也达到了10%。4、另外，三星怎么可能会放弃百亿美元的投资以及中国巨大的芯片市场呢？根据报道，三星西安NANDFlash闪存工厂是三星唯一的海外闪存工厂，预计总投资为70亿美元，但随后在一期项目进行扩建后，使得整体投资金额达到了108.7亿美元。要是搬迁这个工厂，那百亿美元就打了水漂，而且三星闪存产品的供应也会断了，将造成的损失远不止百亿美元。5、美国这种损人利己的做法同样发生在乌克兰。据俄罗斯卫星通讯社4日报道，美国迫使欧洲制裁俄罗斯，而自己却不仅还在继续从俄罗斯进口石油，且过去一周的进口规模还大涨43%，达到每日10万桶！此外，美方还批准本国公司从俄罗斯进口矿物肥料，称这是生活必需品。但美国并未允许欧洲人也这么做。这导致国家石油和天然气保障，欧洲国家被迫支付高价格。所以，韩国三星和SK海力士不会那么傻的。#康钊爆料#《拳霸》（2003）★★★当年断断续续看过一部分，惊艳，但如今回看全片觉得不过尔尔。最出戏的是配乐，跟flash动画一个水准。然后就是动作场面，看似热闹，实则欠缺节奏。对比巅峰港产动作片，打斗戏拖沓、不连贯，想学成龙，却连形都没学会。更让人无法忍受的就是copy自成龙的关键桥段多机位回放，可人家成龙一部电影至多两三次，你这一下整出十几次，过分了#MCU##单片机#5~7毛钱的32位RISC-V单片机大家知道吗？今天早上刚刚确认的消息。CH32V003F4P6，才7毛多。芯片介绍如下：CH32V003系列是基于青稞RISC-V2A内核设计的工业级通用微控制器，支持48MHz系统主频，具有宽压、单线调试、低功耗、超小封装等特点。CH32V003系列内置1组DMA控制器、1组10位模数转换ADC、1组运放比较器、多组定时器以及标准通讯接口USART、IIC、SPI等。产品特点青稞32位RISC-V2A处理器，支持2级中断嵌套最高48MHz系统主频2KBSRAM，16KBFlash供电电压：3.3/5V多种低功耗模式：睡眠、待机上/下电复位、可编程电压检测器1组1路通用DMA控制器1组运放比较器1组10位ADC1个16位高级定时器和1个16位通用定时器2个看门狗定时器和1个32位系统时基定时器1个USART接口、1组IIC接口、1组SPI接口18个I/O口，映像一个外部中断64位芯片唯一ID串行单线调试接口封装形式：TSSOP20、QFN20、SOP16、SOP8#传媒大家说#【什么叫乐极生悲，这就是！】信阳新县人刘某在上牌时，幸运地摇到一个“7777”靓号车牌。领取车牌后，越想越兴奋的他，决定在亲友之间炫耀一下，但又怕亲友们不相信他运气会这么好。于是心血来潮，编造了“花十多万买了个牌”的虚假信息发在自己微信朋友圈里。此条虚假信息在网络媒体上传播扩散后，吃瓜群众都信以为真。误导网友“好牌号要花钱买的”，损害了公安交警的形象，扰乱了公共秩序。结果，刘某被警方依据《中华人民共和国治安管理处罚法》相关规定，依法给予行政拘留七日的处罚。对刘某来说，摇到“7777”车牌号本来是一件非常幸运的事，自己却偏要撒谎是花十多万元钱买来的，结果乐极生悲，落个行政拘留。所以说，无论何时，做人都要学会低调，而且要厚道。针对此事，公安交警部门也提示广大市民，机动车牌号全部由计算机随机投放、自动增补，市民可以随机、自由选择，不要听信“花钱买好号”的谣言。同时告诫大家，网络不是法外之地，对于编造、传播、散布虚假信息的违法行为，公安机关将依法查处，绝不姑息。男子摇到“7777”车牌却称花十多万购买发布虚假信息被拘近日，SK海力士、美光、三星电子相继发布财报，从三大存储巨头的财报中发现，虽然存储芯片DRAM和NAND在上半年表现均还不错，但是，从对下半年的预期来看，均较为悲观。与此同时，英特尔在发布财报的同时，正式对外宣称，将彻底关停傲腾（Optane）技术相关业务，这个DRAM+NAND的结合体，当初被英特尔寄予厚望的存算一体芯片，现如今却落寞退场，令人唏嘘不已。此外，TrendForce集邦咨询此前发布报告称，第三季度NANDFlash价格跌幅将扩大至8%-13%；而DRAM价格的季度环比跌幅，由3%至8%，扩大至近10%。小米红米Note10Pro海外版价格：暂无价格上市时间：2021年03月17日屏幕尺寸：6.67英寸分辨率：2400×1080屏幕技术：康宁五代大猩猩玻璃HDR技术：HDR10输入方式：虚拟按键触摸屏类型：电容屏，多点触控屏幕刷新率：120HzCPU型号：高通骁龙732GCPU核数：八核GPU型号：高通Adreno618操作系统版本：MIUI12UI系统：Android11RAM容量：6GB/8GBROM容量：64GB/128GB存储扩展：支持MicroSD(T-Flash)卡扩展扩展容量：最大支持512GB扩展存储类型：RAM：LPDDR4X，ROM：UFS2.2电池容量：5020mAh大电池电池充电：快速充电(33W快充)后置摄像头：6400万像素主镜头+500万像素超级微距镜头+800万像素超广角镜头+200万像素景深镜头前置摄像头：1600万摄像头类型：五摄像头(后四)传感器类型：CMOS光圈：后置f/1.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