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【兆易创新】NORFlash2004年，朱一明成立美国技佳公司，带着自己研发的一款应用于静态随机存取存储器（SRAM）领域的高速静态存储器模型，赢得10万美元投资。2005年，在清华校友薛军建议下，朱一明回国成立芯技佳易，与武汉新芯、镇江隆智等都将目光放在了闪存NORFlash上。2010年，在清华帮的帮助下，芯技佳易熬过了金融危机，改名为兆易创新。成为了闪存领域的“中国第一”和“中国唯一”。兆易创新是世界第三大NORFlash厂商，其产品代工在武汉新芯、中芯国际、华力微和无锡华虹。随着美光、Cypress等国际巨头退出市场，而旺宏、华邦电子受制于IDM模式，增量不到9%。兆易创新利用其Fabless优势，选择在2018年大幅扩产高容量NORFlash。兆易创新Flash近十多年累计出货量已超100亿颗。MCU2013年4月，兆易创新推出首个基于ARMCortex-M3内核的32位MCU，打破了欧美厂商垄断，覆盖率稳居市场前列。兆易创新拥有中国最大的ArmMCU产品家族，连续7年在中国本土MCU厂商中出货量排名第一。2021年全球Top10MCU厂商榜单中，兆易创新位列第八。兆易MCU已从消费为主逐步向消费、工业并重切换，消费类市场去库存效果明显，目前已经能看到行业见底的迹象。工业类客户应用的占比已接近GD32年用量的一半，MCU的紧缺导致验证周期大大缩短。产量从1亿颗做到10亿颗仅花了4年时间。2022年9月份，公司推出基于ArmCortex-M33内核的首款车规级MCU——GD32A503。DRAM与韦尔股份的虞仁荣一样，兆易创新也看上了ISSI，兆易创新迫切想要通过收购获得DRAM研产能力。然而，最后北京君正完成了对美国ISSI及其下属子品牌Lumissil的并购。2017年，兆易创新与合肥产投共同投资长鑫存储，开展“19nm存储器的12英寸晶圆存储器研发项目”，其中包含DRAM研发。合肥产投、兆易创新按照4:1的比例筹集资金。2020年5月，长鑫存储成为睿力集成的全资子公司。2020年11月，兆易创新增资睿力集成，占睿力集成的股权比例为14.08%。本次增资完成后，石溪集电（朱一明为股东）持有睿力集成的股份38.59%；长鑫集成的持股19.72%，而三重一创、跟进投资人、合肥集鑫企业管理合伙企业（有限合伙）也分别持有睿力集成14.08%、11.27%、1.41%、0.85%的股份。大基金二期参持有睿力集成14.08%的股份。后来阿里腾讯两家云厂商同时入股，合肥长鑫很有前途。兆易创新携手合肥产投布局DRAM，若成功达成规划进度，合肥长鑫将成为继国际三寡头之后，全球第四家量产20nm以下DRAM的公司。项目2018年底已提前量产，10%良率完成，投产后最大产能约占8%市场份额。2020年底，长鑫存储的DRAM芯片通过了高通、海思、联发科、展锐等主流芯片厂商多款芯片的认证，兆易创新从这一年开始代销长鑫存储的DRAM产品。兆易创新自有品牌DRAM也在2021年6月推出。长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧。曾经的DRAM技术领军企业德国奇梦达是公司最初的技术来源之一。2009年奇梦达因经营问题破产，其尚未投入量产的堆叠式电容等新技术后来被业界广泛使用并发展。公司从处置其资产的管理机构收购了大量技术文件，并在此基础上自主研发，更新换代。长鑫12寸三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，预计三期满产后产能可达36万片/月。对比一下三星在西安的nand厂，现在总产能25万片/月12寸晶圆。目前合肥长鑫2021年产能已6万片/月，预计2022年达到12万片/月。市占率有望接近3%。主力产品是19nm制程的DDR4、LPDDR4。17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存，正在加紧研发。兆易创新的DRAM大家整体还是比较担心研发进度，而且担心产品出来之后，之前的寡头三星、海力士和镁光等会进行降价打击，导致利润不好。目前来看，三星这些，都需要在这一波DRAM上涨周期中赚钱来补贴晶圆代工，而且现在DRAM用量将在手机之后，出现AloT和VRAR上用量更多，因此这一波DRAM可能会让兆易有超预期的收入。但兆易创新DRAM业务目前还处于起步阶段，其营收和利润占公司整体营收、利润的比重很小。模拟芯片兆易创新进军模拟芯片，瞄准电源芯片，推出电源管理产品组合：ØGD30LD3300/3301高精度、低噪声、大电源LDO；ØLDOGD30WS系列PMICGD30SP系列保护芯；ØGD30DR系列马达驱动芯片GD30BC系列充电芯片。芯片战效果明显！美国美光公司经营业绩不佳，已宣布2023财年资本支出削减30%，日本铠侠公司也声明称，自10月起将NANDFlash产能利用率降低30%。相关情况可以解释为商业原因，但是与美国发动对华芯片战也脱不了关系。要知道现代芯片市场一直处于不断扩张的状态，知名企业宣布减产为非常少见的现象，更不要说，在减产背后还有一些调整，明摆着市场需求出了问题。美国为一已之私，在搅乱了国际芯片市场秩序，以不供应芯片的方式卡脖子，不知卡脖子要以丢掉市场为代价。鼓动各大厂商去美国本土建厂，一旦建成生产出的芯片卖给谁呢？已经放弃全球最大的芯片市场不要了，仅靠那个市场来支撑全球领先的芯片产业？#美国芯片法案将如何影响全球芯片业#巨控远程模块云存储512M，50个浮点数，10秒记录一条数据，云端可以保存218天。内部flash可以保存7.3天。安踏星火跑鞋据说下个月会发售，但时间还不清楚，这个前后掌的结构都挺有意思，后跟我以为是之前的a-looop，前掌是突出一定厚度的氮气科技，中底的整体架构是flashlite,还有其他可能是鞋面的科技用料之类的标在了后跟处。据说这款的材料缓震十结构缓震脚感体验很独特，还挺想体验一下的。#潮鞋库##中年人的生活现状#大学毕业后，在工厂干过外贸助理，Qc，售后；然后干了10年多IT写了10多年代码，从java到flash到h5到c++到python接着到springboot+bootstrap全栈。然后失业两年，现在回工厂打螺丝。要不然这个年怎么过呢？孩子还小，双亲已老。前几天谈到GD3210x系统的处理器读取256KByte以上的flash时，会出现CPU挂起连中断都不响应的问题。当主频为16MHz时，挂时的时间长达131us，影响了采用外部中断，周期为104us通信数据的接收。有人说STM32等处理器一样存在这样的问题，这是错误的。STM32处理器只有在擦flash的时候才会导致CPU挂起20ms-40ms，在读取flash时不会挂起CPU。GD32处理器的这一缺陷，使得256KByte以上的flash成了鸡肋。这两天准备用DMA来抢救一把。通过测试发现，DMA可以不用CPU挂起的影响，即使一直读取256kByte以上的flash，也能捕捉到正确的值。但是发现两个问题：1)CCP+DMA，在定时器时溢出时出错，貌似错过了一些边沿。最后，通过以下设置，在边沿捕捉触发时，将定时器的计数值清零。timer_input_trigger_source_select(TIMER0,TIMER_SMCFG_TRGSEL_CI0FE0);2)GD3210x处理器只能支持单边沿，不能同时捕捉上升沿和下降沿，使得CCP只能捕捉周期而不能捕捉脉宽。